Продукція > ISG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ISG0505AXP PowerDescription: DC DC CONVERTER 5V 1W
товар відсутній
ISG0505AXP PowerIsolated DC/DC Converters DC-DC, 1W SURFACE MOUNT, REGULATED
товар відсутній
ISG0505A-TRXP PowerIsolated DC/DC Converters DC-DC, 1W SURFACE MOUNT, REGULATED
товар відсутній
ISG0613N04NM6HATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.64 грн
10+ 224.29 грн
25+ 184.24 грн
100+ 157.92 грн
250+ 149.15 грн
500+ 140.37 грн
1000+ 120.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
ISG0613N04NM6HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.89 грн
10+ 242.14 грн
25+ 199.09 грн
100+ 170.74 грн
250+ 161.29 грн
500+ 151.17 грн
1000+ 130.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISG0614N06NM5HATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
товар відсутній
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesSP005575180
товар відсутній
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.51 грн
10+ 232.05 грн
25+ 190.31 грн
100+ 162.64 грн
250+ 153.87 грн
500+ 144.42 грн
1000+ 123.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISG0614N06NM5HATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
товар відсутній
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.85 грн
10+ 254.56 грн
25+ 209.21 грн
100+ 178.84 грн
250+ 169.39 грн
500+ 159.27 грн
1000+ 136.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISG0614N06NM5HSCATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
товар відсутній
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISG0614N06NM5HSCATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
товар відсутній
ISG0616N10NM5HSCInfineon TechnologiesISG0616N10NM5HSC
товар відсутній
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISG0616N10NM5HSCATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 139A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.83 грн
10+ 255.89 грн
100+ 207.02 грн
500+ 172.7 грн
1000+ 147.87 грн
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+338.56 грн
10+ 280.17 грн
25+ 229.46 грн
100+ 197.06 грн
250+ 186.26 грн
500+ 174.79 грн
1000+ 149.82 грн
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISG0616N10NM5HSCATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 139A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+154.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
ISG1411IMAGIS BGA 13+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ISG2B422FP-08
на замовлення 576 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ISG4100IMAGIS BGA 13+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ISG4A442FJ-7A1
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ISGAL22LV10C-7LJ
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)